全国半导体物理学术会议是由中国物理学会半导体物理专业委员会主办的全国性会议，最早由已故著名物理学家、国家最高科技奖获奖者黄昆院士于1977年倡导召开，每两年举办一次，于奇数年召开，与两年一次的国际半导体物理会议（偶数年召开）交错举行。会议旨在促进我国半导体物理研究领域的学术交流，通过高水平的学术报告来把握国际重大前沿领域的发展动向，引导开展国内研究工作，提升我国半导体物理及相关学科的研究水平。
来自全国各地的专家学者、教授和研究生共325人参加了会议，其中包括：中国科学院半导体所郑厚植院士、清华大学薛其坤院士；2012-2013年度中国物理学会黄昆物理奖获奖者——中国科学院半导体所常凯教授和香港中文大学刘仁保教授等中青年科研骨干；以及一大批崭露头角的青年科技工作者和刚刚步入科研领域的研究生。
郑厚植院士和山东大学副校长韩圣浩教授分别在开幕式上致辞。 本次会议共安排5个大会邀请报告：薛其坤院士介绍了量子反常霍尔效应的实验发现过程，并对未来的发展方向和应用进行了展望；北京大学徐洪起教授介绍了半导体纳米线中的马约拉纳费米子（Majorana Fermions）的研究工作；中国科技大学张振宇教授介绍了通过n-p共掺杂调控金属氧化物和相关的纳米材料的电、光和磁特性的相关研究；刘仁保教授报告了中间自旋退相干的基础问题和应用；常凯教授介绍了自旋电子学的实验平台——拓扑绝缘体。
会议设若干分会场进行分组交流，主题包括：宽禁带半导体、自旋电子学、低维物理结构、新奇物理现象、太赫兹和远红外物理、窄禁带半导体、光电器件和光伏器件等。会议还委托上海交通大学贾金峰教授组织了“拓扑绝缘体特别分会”。会议共安排了40个邀请报告、64个口头报告。
为推动张贴报告这一交流形式，自2011年第18届会议起，本系列会议设立“最佳张贴报告奖”。本次会议共评出10项张贴报告奖，每位获奖者获得奖励证书及500元奖金。与会代表建议，今后应更加重视张贴报告环节，增加张贴讨论时间等。
会议期间，召开半导体物理专业委员会（扩大）工作会议，研讨专业委员会未来两年的工作计划。参会人员除了专业委员会委员之外，还包括本次会议程序委员会委员、邀请报告人等。会议重点讨论了2016年在中国承办第33届国际半导体物理学术会议（ICPS-33）的相关事宜。
本次会议的参会人数创历史新高。会议报告精彩，讨论热烈，学术气氛浓郁，得到与会人员的高度赞扬。会议决定，2015年8月在山西省临汾市举行第20届全国半导体物理学术会议，由山西师范大学承办。本次会议得到山东大学的大力协助，得到黄昆基金会的资助，以及相关企业的赞助。会议取得了圆满成功。